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WED8L24514V15BI 参数 Datasheet PDF下载

WED8L24514V15BI图片预览
型号: WED8L24514V15BI
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内容描述: 异步SRAM , 3.3V , 512Kx24 [Asynchronous SRAM, 3.3V, 512Kx24]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 5 页 / 612 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED8L24514V
交流特性读周期
符号
参数
JEDEC
Alt键。
10ns
最大
12ns
最大
15ns
最大
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能在低Z输出
1
芯片禁用高Z输出
1
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出中低Z
1
输出禁止到输出中高Z
1
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
10
10
10
3
5
3
5
0
5
12
12
12
3
6
3
6
0
6
15
15
15
3
7
3
7
0
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 :参数是保证,但未经测试。
图。 4读周期1 - W高,G ,E LOW
t
AVAV
A
地址1
地址2
t
AVQV
Q
t
AVQX
数据
1
数据2
图。 5读周期2 - W高
t
AVAV
A
t
AVQV
E
t
ELQV
t
ELQX
G
t
EHQZ
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
3
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