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    WED8L24514V15BI 参数 Datasheet PDF下载

    WED8L24514V15BI图片预览
    型号： WED8L24514V15BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 异步SRAM ， 3.3V ， 512Kx24 [Asynchronous SRAM, 3.3V, 512Kx24]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 5 页 / 612 K
    品牌： WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
     浏览型号WED8L24514V15BI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号WED8L24514V15BI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WED8L24514V15BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WED8L24514V15BI的Datasheet PDF文件第5页  
    WED8L24514V
    AC CHAR Cucumis Sativus查阅全文写周期
    符号
    参数
    JEDEC
    Alt键。
    民
    10ns
    最大
    12ns
    民
    最大
    15ns
    民
    最大
    单位
    写周期时间
    芯片使能写操作的结束
    地址建立时间
    地址有效到写结束
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    数据保持时间
    写在高Z输出
    1
    数据写入时间
    输出写入结束活动
    1
    t
    AVAV
    t
    ELWH
    t
    ELEH
    t
    AVWL
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    AVEL
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    AVWH
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    AVEH
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    WLWH
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    WHAX
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    EHAX
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    WHDX
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    EHDX
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    WLQZ
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    DVWH
    t
    DVEH
    t
    WHQX
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    WC
    t
    CW
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    CW
    t
    AS
    t
    AS
    t
    AW
    t
    AW
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    WP
    t
    WP
    t
    WR
    t
    WR
    t
    DH
    t
    DH
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DW
    t
    WLZ
    10
    8
    8
    0
    0
    8
    8
    8
    8
    0
    0
    0
    0
    0
    5
    5
    3
    5
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    9
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    0
    9
    9
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    10
    0
    0
    0
    0
    0
    6
    6
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    6
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    10
    10
    11
    11
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    0
    0
    0
    0
    7
    7
    3
    7
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    ns
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    ns
    注1 ：参数是保证，但未经测试。
    图。 6
    写周期1 - 硬件控制
    t
    AVAV
    A
    t
    AVWH
    t
    ELWH
    E
    t
    WHAX
    t
    AVWL
    W
    t
    WLWH
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    D
    数据有效
    t
    WLQZ
    Q
    高Z
    t
    WHQX
    怀特电子设计公司•韦斯特伯鲁， MA • （ 508 ） 366-5151
    4

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