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AO4490 参数 Datasheet PDF下载

AO4490图片预览
型号: AO4490
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 2483 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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AO4490
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±16V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=16A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=12A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=16A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.4
120
6
8.5
8
55
0.70
1.0
4
1803
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
387
238
1.3
36
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=16A
19
3.9
8.7
7.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1Ω,
R
=3Ω
I
F
= 16A ,的di / dt = 100A / μs的
6.4
27
8.5
27
17
33
2
48
2170
7.2
10
10
1.8
30
典型值
37
1
5
10
2.5
最大
单位
V
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 16A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境与
T
A
= 25° ,在任何给定应用的值取决于用户的具体的电路板设计。
C.
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于T≤ 10秒热阻率。
G. EAR和IAR评级是基于低频率和占空比,使得TJ (开始) = 25℃,每个脉冲。
Rev4 : 2010年11月
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