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AO4490 参数 Datasheet PDF下载

AO4490图片预览
型号: AO4490
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 2483 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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AO4490
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
500
0
0
10
20
30
40
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
V
DS
=15V
I
D
=16A
电容(pF)
3500
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
1000.0
10µs
100
80
100µ
1ms
100.0
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
功率(W)的
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10ms
10s
DC
60
40
20
0
0.0001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1s
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.001
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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