MMBT2907LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT2907LT1
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内容描述：	通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 530 K
品牌：	WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]

威伦

MMBT2907LT1

典型特征

3.0

MMBT2907ALT1

归一化电流增益

2.0

= –1.0 V

= –10 V

= 125°C

25°C

1.0

0.7

0.5

–55°C

0.3

0.2

–0.1

–0.2

–0.3

–0.5 –0.7 –1.0

–2.0

–3.0

–5.0 –7.0

–10

–20

–30

–50

–70 –100

–200

–300

–500

，收藏家CURREN （毫安）

图3.直流电流增益

–1.0

，集电极 - 发射

–0.8

= -1.0毫安

= 10毫安

-100毫安

± 500毫安

电压（伏）

–0.6

–0.4

–0.2

–0.005–0.01

–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1

–0.2 –0.3

–0.5 –0.7 –1.0

–2.0 –3.0

–5.0 –7.0 –10

–20

–30

–50

，基极电流（毫安）

图4.集电极饱和区

300

200

100

300

= –30 V

= 10

= 25°C

200

100

= –30 V

= 10

= I

= 25°C

T， TIME （ NS ）

7.0

t ’

= t

– 1/8 t

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

7.0

5.0

3.0

2.0 V

5.0

3.0

–5.0–7.0 –10

–20 –30

–50 –70 –100

–200 –300 –500

–5.0–7.0 –10

–20 –30

–50 –70 –100

–200 –300 –500

，集电极电流

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.开启，关闭时间

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