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MMBT2907LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907LT1图片预览
型号: MMBT2907LT1
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内容描述: 通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 530 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
MMBT2907LT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C
10
10
MMBT2907ALT1
F = 1.0千赫
8.0
8.0
NF ,噪声系数(dB )
6.0
I
C
= -1.0毫安,R
S
= 430
–500
µA,
R
S
= 560
–50
µA,
R
S
= 2.7 k
–100
µA,
R
S
= 1.6 k
NF ,噪声系数(dB )
6.0
4.0
4.0
I
C
= –50µA
–100
µA
–500
µA
= 1.0毫安
2.0
R
S
=最佳源电阻
2.0
0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(
)
图7.频率的影响
f
T
型,电流增益 - 带宽
产品(兆赫)
30
20
400
300
200
图8.源电阻的影响
C
eb
C,电容(pF )
10
7.0
5.0
100
80
60
C
cb
V
CE
=–20 V
T
J
= 25°C
40
30
20
–1.0
3.0
2.0
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20 –30
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.的电容
–1.0
图10.电流增益 - 带宽积
+0.5
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
R
ΔVC
对于V
CE ( SAT )
系数(毫伏/ ℃)
V,电压(V )
–0.6
V
BE(上)
@ V
CE
= –10 V
–0.5
– 1.0
– 0.4
–1.5
–0.2
–2.0
R
, VB
对于V
BE
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图11. “开”电压
图12.温度系数