FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
V
3
3V
•
低调的表面安装，以便应用程序
+ 9.1 V
<1ns
优化电路板空间。
275
275
0.146(3.7)
•
低功耗，高效率。
0.130(3.3)
<1 NS
0.012 （ 0.3 ）典型值。
+
•
0.5 V
电流能力，低正向电压降。
高
10 k
10 k
0
0
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
1N916
C
S
< 4.0 pF的*
C
S
< 4.0 pF的*
0.071(1.8)
•
超
– 10.6 V
高速开关。
0.056(1.4)
300ns
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
10 <吨
1
＆ LT ; 500
µs
t
1
占空比= 2 ％
10.9 V
•
无铅零件符合环保标准
占空比= 2 ％
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
测试夹具和连接器的*总并联电容
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
图1.延迟和上升时间
图2.存储和下降时间
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
典型的瞬态特性
方法2026
机械数据
当量
测试电路
等效测试电路
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
10.0
•
重量：的逼近0.011克
7.0
T
J
= 25°C
尺寸以英寸（毫米）
5000
3000
T
J
= 125°C
电容（pF）
3.0
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
300
标识代码
2.0
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
1.0
0.1
0.2 0.3
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
Q， CHARGE （ PC）
C
敖包
5.0
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
C
IBO
对于容性负载，减免电流20 ％
2000
最大额定值和电气特性
1000
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/ I
B
= 10
200
13
30
21
70
30
50
1.0
100
14
T
Q
40
28
40
2.0 3.0
15
50
35
50
16
60
42
60
20
18
80
56
80
30
10
Q
A
100
70
100
50 70 100
115
150
105
150
200
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms
3.电容
科幻gure
单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
I
C
/I
B
= 10
C
J
T
J
TSTG
500
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.收费数据
30
40
120
5.0 7.0 10
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
100
70
50
300
200
500
-55到+125
300
200
100
70
特征
时间（纳秒）
最大正向电压在1.0A DC
30
t
r
@V
CC
=3.0V
50
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
0.9
0.92
V
F
15 V
0.50
0.70
0.85
30
20
10
7
50 70 100
200
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
t
r
，下降时间（ NS ）
I
C
/I
B
= 20
-
65
到+175
I
B1
= I
B2
-55到+150
V
CC
= 40 V
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
20
额定阻断电压DC
10
@T A = 125 ℃
I
R
注意事项：
7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
5
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
t
d
@V
OB
=0V
20
30
40 V
2.0 V
0.5
I
C
/I
B
= 10
10
2-热阻结点到环境
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.下降时间
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
