欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT3906TT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906TT1图片预览
型号: MMBT3906TT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 6 页 / 378 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号MMBT3906TT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906TT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3906TT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3906TT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3906TT1的Datasheet PDF文件第6页  
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
变化
噪声系数
威伦
无铅全国生产
特点
包装外形
典型的音频小信号特性
12
10
NF ,噪声系数(dB )
8
6
4
2
NF ,噪声系数(dB )
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
VDC ,T
A
应用
薄型表面贴装
(V
CE
= – 5.0
为了
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
优化电路板空间。
14
0.146(3.7)
低功耗,高效率。
源电阻= 200Ω
0.130(3.3)
F = 1.0千赫
I
C
= 1.0毫安
= 1.0毫安
能力,低正向电压降。
I
C
当前
12
高浪涌能力。
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 200
Guardring过电压保护。
10
I
C
- 0.5毫安
超高速开关。
8
源电阻= 1.0kΩ
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
I
C
= 50
µA
无铅零件符合环保标准
6
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
4
无卤素产品的包装代号后缀"H"
源电阻= 500Ω
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
I
C
= 50
µA
I
C
= 100
µA
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
I = 100
µA
C
2
0
0.1
0.2
0.031 ( 0.8 )典型值。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
0
0.1
0.2 0.4
10
100
塑料,
4.0
案例:模压
1.0 2.0
SOD-123H
20 40
,
端子:镀金端子,
(千赫)
每MIL -STD- 750可焊性
男,频率
图7.噪声系数
方法2026
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.031 ( 0.8 )典型值。
100
R
g
,源电阻值(kΩ )
极性:由阴极频带指示
h参数值
安装位置:任意
(V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
重量:的逼近0.011克
h
oe
,输出导纳(
μmhos )
300
100
50
图8.噪声系数
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
h
fe
,直流电流增益
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
200
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
标识代码
最大的经常峰值反向电压
70
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
50
100
20
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
10
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
2.0
3.0
12
20
14
20
10
13
30
5
21
30
2
1
0.1
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
5.0
115
150
105
150
10
120
200
140
200
 
30
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
C
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
 
5.0
我,集电极电流(毫安)
I
FSM
1.0
 
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
30
I
C
,集电极电流(毫安)
 
典型热阻(注2 )
工作温度范围
10
存储温度范围
20
图9.电流增益
R
θJA
 
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
–4
)
典型结电容(注1 )
C
J
T
J
TSTG
 
图10.输出导纳
 
40
120
-55到+125
7.0
5.0
3.0
2.0
10
 
 
-
65
到+175
-55到+150
h
ie
,输入阻抗( kΩ的)
 
5.0
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
额定阻断电压DC
 
1.0
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
I
R
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.5
2-热阻结点到环境
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
1.0
0.7
0.5
 
 
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。