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ZXMS6001N3TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMS6001N3TA图片预览
型号: ZXMS6001N3TA
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内容描述: 60V N沟道自我保护的增强型MOSFET INTELLIFETTM [60V N-channel self protected enhancement mode INTELLIFETTM MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 207 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMS6001N3
大面积覆铜区域特性
对于大面积的铜附注所描述的(一)
最高环境温度T
A
最大连续电流
V
IN
=5V
1140
915
825
510
25 ℃, VIN = 5V
70 ℃, VIN = 5V
85 ℃, VIN = 5V
125 ℃, VIN = 5V
I
D
漏电流( A)
1
有限
最大功耗( W)
R
DS ( ON)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
请参见注释(一) 6厘米铜
2
DC
1s
100ms
10ms
单脉冲
1ms
T
AMB
=25°C
100m
10m
1
10
100
V
DS
漏源极电压( V)
温度(℃)
安全工作区
90
降额曲线
热阻( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100µ
最大功率(W)的
T
AMB
=25°C
单脉冲
T
AMB
=25°C
100
D=0.5
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100µ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲宽度(S )
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
©捷特科PLC 2008