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ZXMS6001N3TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMS6001N3TA图片预览
型号: ZXMS6001N3TA
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内容描述: 60V N沟道自我保护的增强型MOSFET INTELLIFETTM [60V N-channel self protected enhancement mode INTELLIFETTM MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 207 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMS6001N3
绝对最大额定值
参数
连续漏极 - 源极电压
漏源电压短路保护V
IN
= 5V
连续输入电压
峰值输入电压
连续输入电流
-0.2V=V
IN
=10V
V
IN
<-0.2V或V
IN
>10V
工作温度范围
存储温度范围
在T功耗
A
=25°C
(a)
在T功耗
A
=25°C
(c)
连续漏电流@ V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
连续漏电流@ V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
(c)
连续源电流(体二极管)
(a)
脉冲源电流(体二极管)
(b)
松开单脉冲电感能量
负载突降保护
静电放电(人体模型)
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
符号
V
DS
V
DS ( SC )
V
IN
V
IN
I
IN
无极限
|
I
IN
|
2
T
j
,
T
英镑
P
D
P
D
I
D
I
D
I
S
I
S
E
AS
V
LoadDump
V
ESD
-40到+150
-55到+150
1.5
0.6
1.1
0.7
2.0
3.3
550
80
4000
E
40/150/56
°C
°C
W
W
A
A
A
A
mJ
V
V
极限
60
36
-0.2 ... +10
-0.2 ... +20
单位
V
V
V
V
mA
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83
45
208
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
( a)对于一个器件表面安装在用25mm x用25mm x 1.6毫米FR4电路板具有高覆盖单面2盎司重量
铜。 6厘米分配
2
铜33%,源标签, 66%的地漏引脚与源标签和漏极引脚电
孤立的。
( b)对于一个器件表面安装在FR4电路板如(a)和测量t< = 10秒。
( c)对于安装在FR4电路板所需的电连接的最小铜器件表面。
©捷特科PLC 2008