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    ZXMS6001N3TA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXMS6001N3TA图片预览
    型号： ZXMS6001N3TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V N沟道自我保护的增强型MOSFET INTELLIFETTM [60V N-channel self protected enhancement mode INTELLIFETTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 207 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ZXMS6001N3TA的Datasheet PDF文件第10页  
    ZXMS6001N3
    3
    电流限制不活跃
    1000
    中T = 25℃
    限流活跃
    R
    DS （ ON）
    导通电阻（M
    Ω
    )
    I
    D
    漏电流（ A）
    800
    600
    400
    200
    0
    -50
    V
    IN
    = 5V
    I
    D
    = 0.7A
    2
    6V
    5V
    4V
    1
    3V
    V
    IN
    0
    0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    DS
    漏源极电压（ V）
    T
    J
    结温（ ° C）
    典型的输出特性
    R
    DS （ ON）
    导通电阻（
    Ω
    )
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0.0
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.5
    6.0
    通态电阻与温度
    1.4
    V
    IN
    = V
    DS
    T
    J
    = 25°C
    正常化V
    IN（日）
    I
    D
    = 0.7A
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    -50
    I
    D
    = 1毫安
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    IN
    输入电压（ V）
    T
    J
    结温（ ° C）
    导通电阻与输入电压
    10
    阈值电压与温度
    12
    R
    D
    = 22
    Ω
    R
    IN
    = 25
    Ω
    I
    S
    源电流（ A）
    T
    J
    = 150°C
    10
    V
    DS
    电压（V）的
    1
    8
    6
    4
    2
    V
    IN
    0.1
    T
    J
    = 25°C
    0.01
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    V
    SD
    二极管的正向电压（ V）
    0
    -20µ
    0
    20µ 40µ 60µ 80µ 100µ120µ140µ160µ
    时间（s）
    源极 - 漏极二极管正向电压
    开关速度
    第1期 - 2008年1月
    ©捷特科PLC 2008
    8
    www.zetex.com

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