LM1117IMPX-3.3/NOPB
日期：2018-5-16
品牌：TI
型号：LM1117IMPX-3.3/NOPB
封装：SOT223
包装：2000
年份；1802+5
数量：80000000
产地：Thailand
瑞利诚科技（深圳）有限公司
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一级标准
TLV75 7P—TLV75 7P是较低的IQ（25uA），较低的电压（5.5V最大）1 LDO
TLV760-TLV760是一种宽输入（30V）低电流（100mA）线性稳压器
LP38 798—LP38 798是一种高电流（1A max）陶瓷盖稳定LDO
特惠
LM1117是一个低压差稳压器，在负载电流为800毫安时，其输出电压为1.2伏。
该LM1117是在一个可调的版本，它可以设置从1.25到13.8 V的输出电压只有两个外部电阻器。此外，它可以在五个固定电压，1.8伏，2.5伏，3.3伏和5伏。
LM1117提供电流限制和热关断。它的电路包括齐纳修整带隙基准，以确保输出电压精度±1%以内。
在输出端需要至少10μF钽电容器，以提高瞬态响应和稳定性。
特技
可在1.8伏，2.5伏，3.3伏，5伏，
可调版本
节省空间的SOT-223和WSON封装
限流与热保护
输出电流800毫安
线路调节0.2%（最大）
负荷调节0.4%（最大值）
温度范围
LM1117：0°C至125°C
LM1117I: 40°C至125°C
LM1117 800毫安低压差线性稳压器
1特征
1 LM1117是一种低压差稳压器，具有1.8伏、2.5伏、3.3伏、5伏和3.3伏的电压。
在负载电流为800毫安时，1.2伏电压下降。可调版本
节省空间的SOT-223和WSON封装LM1117可用可调版本，
它可以将输出电压从1.25到13.8 V。电流限制和热保护只有两个外部电阻器。此外，它是
输出电流800毫安可在五个固定电压，1.8伏，2.5伏，3.3伏，
线路调节0.2%（最大）和5 V。
负载调节0.4%（最大）LM1117提供电流限制和热
温度范围关闭。它的电路包括一个齐纳修剪电路。
带隙基准以确保输出电压精度LM1117：0°C至125°C在±1%以内。
-LM1117I: 40°C至125°C
需要10μF钽电容器的最小值。
2应用输出改善瞬态响应稳定性。
开关直流变换器后调节器
设备信息（1）·高效线性调节器
电池充电器零件号封装体尺寸（NOM）
便携式仪器SOT-223（4）6.50毫米×3.50毫米
TO 220（3）14.986毫米×10.16毫米有源SCSI终端调节器LM1117，TO 252（3）6.58毫米×6.10毫米LM1117I
WSON（8）4毫米×4毫米
TO 263（3）10.18毫米×8.41毫米
（1）对于所有可用的包，请参见可订购附件。
数据表的末尾。
6.1绝对最大额定值
超过运行的自由空气温度范围（除非另有说明）（1）
最小最大单位
最大输入电压（VIN到GND）20伏
功率耗散（2）内部限制结温（TJ）（2）150°C
TO 220（t）封装，10秒260铅温°C
SOT-223（MP）封装，4秒260
储存温度，Tstg - 65°150°C
（1）超出绝对最大额定值下的应力可能对设备造成永久性损坏。这些是压力等级。
只不过，这并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能操作超出推荐的指示。
操作条件。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件可靠性。
（2）最大功耗是TJ（max）、R Th JA和TA的函数。在任何环境下的最大允许功耗
温度为Pd=（TJ（max）-Ta）/R Th JA。所有数字都适用于直接焊接到PCB中的封装。
6.2 ESD额定值
价值单位
V（ESD）静电放电人体模型（HBM），每ANSI/ESDA/JEDEC JS－1001（1）±2000 V
（1）JEDEC文件JEP155指出，500—V HBM允许使用标准的ESD控制过程安全制造。引脚被列为±2000
V实际上可能具有更高的性能。
推荐的6.3种操作条件
超过操作自由空气温度范围（除非另有说明）
最小最大单位
输入电压（VIN到GND）15伏
LM1117 0°125°C
结温（TJ）
LM1117I—40 125
（1）最大功耗是TJ（max）、R Th JA和TA的函数。在任何环境下的最大允许功耗
温度为Pd=（TJ（max）-Ta）/R Th JA。所有数字都适用于直接焊接到PCB中的封装。
6.4热信息
LM1117，LM1117i
DCY NDE NDP NGN KTT热度量（1）单元（SOT-223）（TO -220）（TO -252）（WSON）（TO -263）
4针3针3销8销3销
R TH JA结与环境热阻61.6，23.8，45.1，39.3，41.3°C/W
R Th JC（TOP）结与外壳（顶部）热阻42.5，16.6，52.1，31.4，44.1°C/W
R Th JB结对板热阻10.4，5.3，29.8，16.5，24.2°C/W
JT结到顶部表征参数2.9、3.1、4.5、0.3、10.9°C/W
JB结对板表征参数10.3 5.3、29.4、16.7、23.2°C/W
R TH JC（BOT）结到外壳（底部）热阻- 1.5 1.3，5.6，1.3°C/W
（1）关于传统和新的热度量的更多信息，请参见半导体和IC封装热度量应用。
