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SI4166DY-T1-GE3 场效应管 N通道 SOP8贴片

日期:2018-5-28类别:会员资讯 阅读:607 (来源:互联网)
公司:
深圳市勤思达科技有限公司
联系人:
手机:
18617042306
电话:
0755-83268779
传真:
0755-83955172
QQ:
2881910282 2881239443
地址:
深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A4-2L

型号:SI4166DY-T1-GE3

品牌:Vishay Semiconductors

描述:分立式半导体 MOSFET N通道 30V 30.5A 贴片8-SOIC

产品种类:MOSFET

晶体管类型:N 通道

正向跨导 - 最小值:65 S

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:3 W

上升时间:19 ns

汲极/源极击穿电压:30 V

/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:20.5 A

下降时间:15 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:35 ns

导通电阻:4.5 mOhms

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT/贴片

供应商标准封装SOIC-8

封装类型:Reel/卷盘

其它名称:SI4166DY-GE3

价格:面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS管SI4166DY-T1-GE3

正品原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈