K4B1G1646I-BYMA 功耗低DDR3 存储器IC
日期:2018-6-25由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍。
密度1GB或128M×8
速度1866 Mbps电压1.35 V
温度0~85°C封装78FBGA
品牌:SAMSUNG
型号:K4B1G1646I-BYMA
封装:BGA96
包装:1120PCS
数量:672000
产地:韩国 KOREA
瑞利诚科技(深圳)有限公司
联系人:Eason
电话:13312991513
qq:1134043964
邮箱:13312991513@163.com
由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍。
密度1GB或128M×8
速度1866 Mbps电压1.35 V
温度0~85°C封装78FBGA
速度快,性能高
- 带宽是 DDR2 的两倍
由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍。
功耗低、能效高的 DRAM 解决方案
- 与 DDR2 相比,功耗降低达 30%
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 的能耗更低,与上一代产品相比,功耗减少了 30%,进而降低了总体拥有成本。
分类二代双倍数据率同步动态随机存储器三代双倍数据率同步动态随机存储器
界面数据率 (Mbps)400, 533, 667, 800800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 CL2~65~14
VDD/VDDQ VTT
VTT, 1066, 1333, 1600, 1866, 213
终止(DQ)1.8V1.5V/1.35V
Vref DQ0.5xVDDQ0.5xVDDQ
核心架构Bank Group4, 8 (1Gb~)8
页面大小1KB (x4/8), 2KB(x16)1KB(x4/8), 2KB(x16)
包装类型FBGA (60/84 ball)FBGA(78/96 ball)预读取4 Bit8 Bit
功耗低、能效高的 DRAM 解决方案- 与 DDR2 相比,功耗降低达 30%
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 的能耗更低,与上一代产品相比,功耗减少了 30%,进而降低了总体拥有成本。