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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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1DI300ZN-120产品参数
型号:1DI300ZN-120
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):2000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1
端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2000 W
最大功率耗散 (Abs):2000 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):3000 ns
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):17000 ns
最大开启时间(吨):3000 ns
Base Number Matches:1
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