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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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产品型号1DI300ZN-120的概述

芯片1DI300ZN-120的概述 1DI300ZN-120是一款广泛应用于工业领域的功率半导体器件。作为一种IGBT(绝缘栅双极型晶体管),该产品在电力电子技术中发挥着重要作用。它的名称中“300”通常指的是其额定电流(300A),而“120”则代表其额定直流电压(1200V)。这一型号的IGBT广泛应用于电焊机、逆变器及各种需要高功率控制的电气设备中,具备高效能和良好的开关性能。 IGBT器件的主要优点在于其超高的开关速度和较低的导通损耗,使其成为现代电源转换应用中理想的选择。1DI300ZN-120的设计允许它能在极端温度和电压条件下正常工作,这使得其在各种工业环境中得以广泛应用。 芯片1DI300ZN-120的详细参数 1DI300ZN-120的主要电气参数如下: - 最大集电极-发射极电压(Vce): 1200V - 最大持续集电极电流(Ic): 300A - 脉冲电流(Ic...

产品型号1DI300ZN-120的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
1DI300ZN-120产品参数
型号:1DI300ZN-120
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):2000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1
端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2000 W
最大功率耗散 (Abs):2000 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):3000 ns
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):17000 ns
最大开启时间(吨):3000 ns
Base Number Matches:1
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