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产品型号1DI30F-100的概述

芯片1DI30F-100的概述 1DI30F-100是一款广泛应用于工业和消费电子领域的功率器件,主要作为整流二极管或功率模块使用。该器件由于其高效率和耐用性,在现代电源管理和驱动系统中发挥着重要作用。特定型号的设计使得其适用于高负载和快速切换的工作环境,满足用户对高性能的要求。 芯片1DI30F-100的详细参数 1DI30F-100的关键参数包括: - 额定电流:30A - 反向电压:1000V - 正向压降:1.1V(在工作电流下) - 工作温度范围:-40℃至125℃ - 结温:最高可达150℃ - 封装类型:TO-220或其他模块化设计 - 反向恢复时间:40ns,适合高频应用 这些参数显示了芯片在高功率应用中的能力,特别是在电压和电流的承受能力上,1DI30F-100可为各种电源设计提供可靠的电源解决方案。 芯片1DI30F-100的厂家、包装和封装 1DI30F-100...

产品型号1DI30MA-050的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
1DI30MA-050产品参数
型号:1DI30MA-050
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-30 代码:R-PUFM-X3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):10000 ns
最大开启时间(吨):3000 ns
Base Number Matches:1
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