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  • 深圳市双微电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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1MBH60-090产品参数
型号:1MBH60-090
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
其他特性:HIGH SWITCHING SPEED, LOW SATURATION VOLTAGE
最大集电极电流 (IC):60 A
集电极-发射极最大电压:900 V
配置:SINGLE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):260 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:3.2 V
Base Number Matches:1
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