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产品型号2N3765的Datasheet PDF文件预览

Data Sheet No. 2N3765  
Ge ne ric Pa rt Numbe r:  
2N3765  
Type 2N3765  
Geometry 6706  
Polarity PNP  
Qual Level: JAN - JANTXV  
REF: MIL-PRF-19500/396  
Features:  
·
General-purpose transistor for  
switching and amplifier applica-  
tons.  
·
·
Housed in a TO-46 case.  
Also available in chip form using  
the 6706 chip geometry.  
·
The Min and Max limits shown are  
per MIL-PRF-19500/396 which  
Semicoa meets in all cases.  
TO-46  
Maximum Ratings  
TC = 25oC unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
60  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
60  
V
5.0  
V
1.5  
mA  
oC  
TJ  
-55 to +200  
-55 to +200  
oC  
TSTG  
Data Sheet No. 2N3765  
Electrical Characteristics  
TC = 25oC unless otherwise specified  
OFF Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 10 µA  
V(BR)CBO  
60  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mA  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX1  
60  
5.0  
---  
---  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IE = 10 µA  
---  
V
Collector-Emitter Cutoff Current  
VEB = 2.0 V, VCE = 30 V  
100  
150  
100  
200  
nA  
µA  
nA  
nA  
Collector-Emitter Cutoff Current  
ICEX2  
VEB = 2.0 V, VCE = 30 V, TA = 150oC  
---  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30 V  
ICBO  
---  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 2.0 V  
IEBO  
---  
ON Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Forward current Transfer Ratio  
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
hFE5  
hFE6  
35  
40  
40  
30  
30  
20  
---  
---  
140  
120  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
IC = 150 mA, VCE = 1.0 V (pulse test)  
IC = 500 mA, VCE = 1.0 V (pulse test)  
IC = 1.0 A, VCE = 1.5 V (pulse test)  
IC = 1.5 A, VCE = 5.0 V (pulse test)  
IC = 500 mA, VCE = 1.0 V (pulsed), TA = -55oC  
---  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10 mA, IB = 1 mA (pulse test)  
IC = 150 mA, IC = 15 mA (pulse test)  
IC = 500 mA, IB = 50 mA (pulse test)  
IC = 1.0 A, IC = 100 mA (pulse test)  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VCE(sat)3  
VCE(sat)4  
---  
---  
---  
---  
0.1  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
0.22  
0.50  
0.90  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10 mA, IB = 1 mA  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
VBE(sat)3  
VBE(sat)4  
---  
---  
---  
---  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
IC = 150 mA, IB = 15 mA (pulse test)  
IC = 500 mA, IB = 50 mA (pulse test)  
IC = 1.0 A, IB = 100 mA (pulse test)  
Small Signal Characteristics  
Magnitude of Common Emitter Short Circuit  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
|hFE|  
1.5  
6.0  
---  
Forward Current Transfer Ratio  
IC = 50 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz  
Open Circuit Output Capacitance  
COBO  
CIBO  
---  
---  
25  
80  
pF  
pF  
VCB = 10 V, IE = 0, 100 kHz < f < 1 MHz  
Input Capacitance, Output Open Circuited  
VEB = 0.5 V, IC = 0, 100 kHz < f < 1 MHz  
Switching Characteristics  
Per Figure 1, MIL-S-19500/396D  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
td  
tr  
---  
---  
---  
---  
8
ns  
ns  
ns  
ns  
Pulse Delay Time  
Pulse Rise Time  
Pulse Storage Time  
Pulse Fall Time  
35  
80  
35  
ts  
tf  
配单直通车
2N3765产品参数
型号:2N3765
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):35
JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1
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