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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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产品型号2N3810的产品参数和2N3810的使用说明

芯片2N3810的概述

2N3810是一种N沟道场效应晶体管(FET),主要用于低功耗信号放大和开关应用。它是一种常见的半导体器件,广泛应用于音频放大器、无线电频率放大器和其他需要低噪声和高增益的电路中。由于其优异的电气特性,2N3810成为工程师和设计师在早期电子电路设计中常备的元件之一。

场效应晶体管的主要优点在于其高输入阻抗和低功耗特性。与传统的双极型晶体管相比,场效应晶体管在输入信号处理时对信号的失真较小,同时能有效地降低功耗。这使得2N3810适用于低功耗设备的设计,特别是在便携式和移动设备中,能显著延长电池使用寿命。

芯片2N3810的详细参数

2N3810的工作参数通常包括以下几个性能指标:

- 最大漏极电流(ID):10 mA - 最大漏极-源电压(VDS):30 V - 最大功耗(PD):250 mW - 最大栅极-源电压(VGS):±20 V - 静态门极电流(IG):极小,通常在微安级别 - 输入电阻(Rin):高达1 MΩ - 增益(G):在10到30的范围内 - 截止频率(fT):一般在100 MHz左右

该器件支持广泛的工作温度范围,一般在-55°C到+150°C之间。这使得2N3810在各种环境条件下均能保持稳定的性能。

芯片2N3810的厂家、包装、封装

2N3810由多家半导体制造商生产,其中包括国际商用机器公司(IBM)、安森美半导体(ON Semiconductor)、Sanken Electric等知名公司。不同的厂家可能提供不同的外围特性和可靠性,但基本性能参数大致相同。

在包装和封装方面,2N3810通常以TO-92、TO-220、SOT-23等多种封装形式提供。TO-92是最常见的封装类型,它由塑料材料构成,外形呈圆柱形,方便在电路板上焊接。TO-220封装则多用于需要散热的应用场合,通常配备散热片,以有效降低工作温度。此外,SOT-23是一种小型封装,适合便携式电子设备。

芯片2N3810的引脚和电路图说明

2N3810的引脚配置一般为三端口结构,标准引脚布局通常如下:

1. 源极(Source, S) 2. 漏极(Drain, D) 3. 栅极(Gate, G)

在具体的电路图中,栅极端接入控制信号,漏极端承载负载电流,源极则连接至地或低电位。电路图如下所示:

+Vdd | |D ---- | | | | ----G | | | | S| | | ---- ---- | GND

在实际应用中,设计师需要根据具体电路需求选择合适的偏置电压和负载电阻,从而确保2N3810能够在指定的工作范围内高效运作。

芯片2N3810的使用案例

2N3810广泛应用于各种电子电路,特别适合高增益的低噪声放大器设计。以下是几个具体使用案例:

1. 音频放大器

在音频处理电路中,2N3810常被用作输入放大器。通过合理的电路设计,可以将微弱的音频信号放大,从而使其适合后续的处理和输出。

- 电路设计:使用2N3810作为输入级放大器,接收来自麦克风的低电平信号。将2N3810的栅极接入麦克风,漏极通过负载电阻连接至供电,源极接地。通过调节栅极偏置,优化增益,便可获得理想的音频输出。

2. 射频放大器

在无线通信领域,2N3810能够作为射频信号的放大器。由于其高输入阻抗和低噪声特性,使其在射频微弱信号处理中展现出突出的性能。

- 电路设计:在无线电收发机中,2N3810可与其他射频元件配合使用,通过设置适当的匹配网络,提升信号增益,增强系统的接收灵敏度。

3. 开关电路

2N3810也可用于开关应用。通过控制栅极信号的高低,可以实现对负载的开关控制,适合于简单的电子开关电路。

- 电路设计:通过将微控制器的输出端连接至2N3810的栅极,设置合适的上拉电阻,可实现对电机或灯光等设备的控制。

在以上案例中,2N3810展示了其在音频、射频及开关控制等各类电路中的重要角色,可满足多种应用的需求。

配单直通车
2N3810产品参数
型号:2N3810
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-78
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
针数:6
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.08
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):125
JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W6
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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