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2N3879产品参数
型号:2N3879
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:TO-66
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.07
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:75 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):12
JEDEC-95代码:TO-213AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):35 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1
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