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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 厂家MOT 
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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2N3960产品参数
型号:2N3960
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.69
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
基于收集器的最大容量:2.5 pF
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.75 W
最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1600 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
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