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产品型号2N4150的概述

芯片2N4150的概述 2N4150是一种广泛使用的N沟道MOSFET,可作为频率较高的开关元件,特别是在高频信号的放大应用中。该器件的设计旨在提供优良的性能,适合电子产品中的各种应用,例如音频放大器、无线电发射机以及其他专业电子设备。其采用0.5μm硅工艺及各种附加设计技术,确保了器件在多个工作...
配单直通车
2N4150产品参数
型号:2N4150
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SILICON TRANSISTOR CORP
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1
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