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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 
  • 封装NA 
  • 批号21+ 
  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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  • 0755-82518059 QQ:872328909
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 厂家一级代理 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 集好芯城

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装PBF 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 批号22+ 
  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 0755-22655674 QQ:1686616797QQ:2440138151
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 数量1560 
  • 厂家FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 
  • 封装NA 
  • 批号21+ 
  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO-92-3 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
  • QQ:215672808QQ:215672808 复制
  • 0755-83229772 QQ:215672808
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-92-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥2一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库BCX17
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家Fairchild 
  • 封装REEL 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装 
  • 批号新 
  • 全新原装 货期两周
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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 数量6849 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装TO-226-3, TO-92-3 
  • 批号20+ 
  • 进口原装,公司现货
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  • 0755-83210149 QQ:1968343307QQ:2885835292
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量1200 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 2N4403TA
  • 数量18560 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SMD 
  • 批号16PB 
  • 假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量22000 
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  • 全新原装部分现货其他订货
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  • 2N4403TA-LF图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 2N4403TA-LF
  • 数量22000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
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  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

产品型号2N4403TA的概述

2N4403TA概述 2N4403TA是一种NPN型小信号晶体管,常用于低频和中频放大、开关和信号调理电路。由于其高增益和良好的频率特性,这种晶体管广泛应用于各种电子设备中。与其他类型的晶体管相比,2N4403TA的工作频率较高,使其在许多电路中倍受重视。 该晶体管通常被应用于音频放大器、开关电路、轻负载驱动、振荡器等。由于其良好的热稳定性,2N4403TA在高温环境下仍能保持稳定的性能。这使得其适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等多个领域。 2N4403TA详细参数 2N4403TA晶体管的参数如下: - 类型:NPN - 最大电压:集电极-发射极电压(Vceo)最大值为40V - 集电极-基极电压(Vcbo):最大值为75V - 发射极-基极电压(Vebo):最大值为5V - 最大集电极电流(Ic):1A - 功耗(Pd):500mW - 直流电流增益(hFE):在Ic=15...

产品型号2N4403TA的Datasheet PDF文件预览

2N4403  
MMBT4403  
C
E
TO-92  
C
B
SOT-23  
Mark: 2T  
B
E
PNP General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as a general purpose amplifier  
and switch requiring collector currents to 500 mA.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
40  
40  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
600  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N4403  
*MMBT4403  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N4403/MMBT4403, Rev. C  
PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown  
IC = 1.0 mA, IB = 0  
40  
V
Voltage*  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBEX  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 0.1 mA, IE = 0  
40  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Base Cutoff Current  
IE = 0.1 A, IC = 0  
5.0  
VCE = 35 V, VEB = 0.4 V  
VCE = 35 V, VBE = 0.4 V  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
ICEX  
Collector Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
IC = 0.1 mA, VCE = 1.0 V  
IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V  
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V  
IC = 150 mA, VCE = 2.0 V*  
IC = 500 mA, VCE = 2.0 V*  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
IC = 150 mA, IB = 15 mA*  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
30  
60  
100  
100  
20  
300  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage*  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.4  
0.75  
0.95  
1.3  
V
V
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.75  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain - Bandwidth Product  
Collector-Base Capacitance  
Emitter-Base Capacitance  
Input Impedance  
IC = 20 mA, VCE = 10 V,  
f = 100 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0,  
f = 140 kHz  
VBE = 0.5 V, IC = 0,  
f = 140 kHz  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,  
f = 1.0 kHz  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,  
f = 1.0 kHz  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,  
f = 1.0 kHz  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,  
f = 1.0 kHz  
200  
MHz  
pF  
8.5  
30  
Ccb  
Ceb  
hie  
hre  
hfe  
hoe  
pF  
1.5  
0.1  
60  
15  
kΩ  
x 10-4  
Voltage Feedback Ratio  
Small-Signal Current Gain  
Output Admittance  
8.0  
500  
100  
1.0  
µmhos  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
VCC = 30 V, IC = 150 mA,  
IB1 = 15 mA  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
td  
tr  
VCC = 30 V, IC = 150 mA  
IB1 = IB2 = 15 mA  
225  
30  
ts  
tf  
*Pulse Test: Pulse Width £300 ms, Duty Cycle £2.0%  
PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Typical Characteristics  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage vs Collector Current  
Typical Pulsed Current Gain  
vs Collector Current  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
VCE = 5V  
β = 10  
125 °C  
25 °C  
25 °C  
125 °C  
- 40 °C  
- 40 °C  
0
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100 300  
1
10  
100  
500  
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)  
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)  
Base-Emitter Saturation  
Voltage vs Collector Current  
Base Emitter ON Voltage vs  
Collector Current  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
- 40 °C  
- 40 °C  
25 °C  
25 °C  
125 °C  
125°C  
β = 10  
V
= 5V  
CE  
1
10  
100  
500  
0.1  
1
10  
25  
I C- COLLECTOR CURRENT (mA)  
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)  
Input and Output Capacitance  
vs Reverse Bias Voltage  
Collector-Cutoff Current  
vs Ambient Temperature  
20  
16  
12  
8
100  
10  
V
= 35V  
CB  
C
ib  
1
0.1  
C
ob  
4
0.01  
0
25  
50  
75  
100  
125  
0.1  
1
10  
50  
TA- AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)  
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)  
°
PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Typical Characteristics (continued)  
Switching Times  
vs Collector Current  
Turn On and Turn Off Times  
vs Collector Current  
250  
500  
I
I
c
c
IB1= IB2  
=
IB1= IB2=  
10  
10  
400  
300  
200  
100  
0
200  
150  
100  
50  
V
= 15 V  
V
= 15 V  
cc  
cc  
t
s
t
f
t
t
off  
r
t
on  
t
d
0
10  
10  
100  
- COLLECTOR CURRENT (mA)  
1000  
100  
- COLLECTOR CURRENT (mA)  
1000  
I
I
C
C
Power Dissipation vs  
Ambient Temperature  
Rise Time vs Collector  
and Turn On Base Currents  
1
0.75  
0.5  
50  
SOT-223  
20  
10  
5
TO-92  
t
= 15 V  
r
SOT-23  
30 ns  
0.25  
0
2
1
60 ns  
10  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TEMPERATURE (oC)  
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Typical Common Emitter Characteristics (f = 1.0kHz)  
Common Emitter Characteristics  
Common Emitter Characteristics  
5
1.3  
1.2  
1.1  
1
h
oe  
h
h
h
h
re  
ie  
h
and h  
oe  
fe  
h
2
1
re  
re  
oe  
h
fe  
h
0.5  
ie  
h
ie  
0.9  
0.8  
I
T
= -10mA  
= 25oC  
A
V
T
= -10 V  
0.2  
C
CE  
= 25oC  
h
fe  
A
0.1  
_
_
_
_
_
_
1
2
5
10  
20  
50  
-4  
-8  
-12  
-16  
-20  
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)  
VCE- COLLECTOR VOLTAGE (V)  
Common Emitter Characteristics  
1.5  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1
I
V
= -10mA  
= -10 V  
h
h
h
h
C
fe  
ie  
CE  
re  
oe  
h
oe  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
h
h
re  
ie  
h
fe  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
T A - AMBIENT TEMPERATURE (oC)  
PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Test Circuits  
- 30 V  
200 Ω  
1.0 KΩ  
0
- 16 V  
50 Ω  
200ns  
FIGURE 1: Saturated Turn-On Switching Time Test Circuit  
- 6.0 V  
1.5 V  
1 KΩ  
37 Ω  
NOTE: BVEBO = 5.0 V  
1.0 KΩ  
0
- 30 V  
50 Ω  
200ns  
FIGURE 2: Saturated Turn-Off Switching Time Test Circuit  
TRADEMARKS  
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â
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配单直通车
2N4403TA产品参数
型号:2N4403TA
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:TO-92
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.03
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:PNP
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):255 ns
最大开启时间(吨):35 ns
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
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