2N4859A产品参数

品牌：Central Semiconductor Corp

描述：JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18

详细描述：JFET N-Channel 30V 250pA 360mW Through Hole TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源电压（Vdss）：30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：50mA @ 15V

漏极电流（Id） - 最大值：250pA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：10V @ 500pA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：25 Ohms

功率 - 最大值：360mW

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

标准包装：2,000

其它名称：2N4859A PBFREE

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求