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  • 2N5153LP图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市思诺康科技有限公司

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  • 晶体管
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号2N5153L的Datasheet PDF文件预览

Data Sheet No. 2N5153L  
Ge ne ric Pa rt Numbe r:  
2N5153L  
Type 2N5153L  
Geometry 9702  
Polarity PNP  
Qual Level: JAN - JANS  
REF: MIL-PRF-19500/545  
Features:  
·
Silicon power transistor for use in  
high speed switching applications.  
·
·
Housed in a TO-5 case.  
Also available in chip form using  
the 9702 chip geometry.  
·
The Min and Max limits shown are  
per MIL-PRF-19500/545 which  
Semicoa meets in all cases.  
TO-5  
Maximum Ratings  
TC = 25oC unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
80  
V
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
5.5  
2
V
V
Collector Current, Continuous  
A
Collector Current, PW < 8.3 ms, < 1% duty cycle  
IC  
10  
15  
A
Reverse Pulse Energy  
mJ  
Power Disipation TA = 25oC ambient  
Derate above 25oC  
1.0  
5.7  
Watt  
PT  
TJ  
mW/oC  
oC  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
-65 to +200  
-65 to +200  
oC  
TSTG  
Data Sheet No. 2N5153L  
Electrical Characteristics  
TC = 25oC unless otherwise specified  
OFF Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 100 mA, IB = 0, pulsed  
V(BR)CBO  
80  
---  
V
Base-Emitter Cutoff Current  
VEB = 4 V, IC = 0  
IEBO1  
IEBO2  
---  
---  
1.0  
1.0  
µA  
VEB = 5.5 V, IC = 0  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 60 V, VBE = 0  
mA  
ICES1  
ICES2  
ICEO  
ICEX  
---  
---  
---  
---  
1.0  
1.0  
50  
µA  
mA  
µA  
VCE = 100 V, VBE = 0  
VCE = 40 V, IB = 0  
VCE = 60 V, VBE = +2 V, TC = 150oC  
500  
µA  
ON Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Forward Current Transfer Ratio  
IC = 50 mA, VCE = 5 V  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
50  
70  
40  
25  
---  
200  
---  
---  
---  
---  
---  
IC = 2.5 A, VCE = 5 V, pulsed  
IC = 5.0 A, VCE = 5 V, pulsed  
IC = 2.55 A, VCE = 5 V pulsed, TC = -55oC  
---  
Base-Emitter Voltage, Nonsaturted  
VCE = 5 V, IC = 2.5 A, pulsed  
VBE  
---  
1.45  
V dc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 2.5 A, IB = 250 mA, pulsed  
IC = 5 A, IB = 500 mA, pulsed  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
---  
---  
1.45  
2.2  
V dc  
V dc  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 2.5 A, IB = 250 mA, pulsed  
IC = 5 A, IB = 500 mA, pulsed  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
---  
---  
0.75  
1.5  
V dc  
V dc  
Small Signal Characteristics  
Magnitude of Common Emitter Small Signal  
Short Circuit Forward Current Transfer Ratio  
VCE = 5 V, IC = 500 mA, f = 10 MHz  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
|hfe|  
7.0  
---  
---  
Common Emitter, Small Signal Short Circuit  
Forward Current Transfer Ratio  
h
50  
---  
---  
---  
fe  
VCE = 5 V, IC = 100 mA, f = 1 kHz  
Open Circuit Output Capacitance  
COBO  
250  
pF  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
Switching Time  
Delay Time  
IC = 5 A, IB1 = 500 mA  
Storage Time  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
tON  
---  
0.5  
µs  
ts  
tf  
---  
---  
---  
1.4  
0.5  
1.5  
µs  
µs  
µs  
IB2 = -500 mA  
Fall Time  
VBE(off) = 3.7 V  
Turn-Off Time  
RL = 6 ohms  
tOFF  
配单直通车
2N5153S产品参数
型号:2N5153S
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:SEMELAB LTD
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.07
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70
JEDEC-95代码:TO-205AD
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1
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