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| 型号: | 2N5209TRA |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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