2N6350芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商引脚图技术参数-中国IC网-芯三七

产品型号2N6350的概述

芯片2N6350的概述 2N6350是一个广泛应用的双极型晶体管（BJT），属于NPN类型，设计用于电流开关和放大器电路。由于其良好的性能与可靠性，2N6350常用于各种电子设备中，例如电源管理、驱动电路以及各种开关应用。作为一个高效的电子元器件，2N6350以其稳定性与多样性而受到电子工程师的青睐。制造商们对2N6350进行了优化，使得该晶体管具备高增益、低输入阻抗等特性，从而在许多领域内发挥关键作用。在实际应用中，2N6350能够有效控制较大的直流电压，广泛用于功率放大器、开关电源及音频放大器等电路。芯片2N6350的详细参数 2N6350的参数可以分为几个重要部分，其中最关键的包括电流增益、最大电压、功率搅动和功率耗散能力等。以下是该晶体管的详细参数： 1. 型号: 2N6350 2. 类型: NPN 双极型晶体管 3. 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 60V 4. ...

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TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 472

Devices

Qualified Level

JAN

2N6350

2N6351

2N6352

2N6353

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N6350 2N6351

2N6352 2N6353

Symbol

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

150

Vdc

V_CER

V_CBO

150

6.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

Vdc

Adc

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_EBO

I_B

Collector Current

I_C

2N6350, 2N6351

TO-33*

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

1.0⁽²⁾

5.0⁽³⁾

2.0⁽⁴⁾

25⁽⁵⁾

⁰C

P_T

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

⁰C/W

qJC

1) Applies for t_p£ 10 ms, Duty cycle £ 50%

2N6352, 2N6353

TO-24* (TO-213AA)

2) Derate linearly @ 5.72 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

3) Derate linearly @ 50 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

4) Derate linearly @ 11.4 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

5) Derate linearly @ 250 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

Vdc

I_C= 25 mAdc, R_B1E= 2.2 kW, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_(BR)

CER

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N6350, 2N6351, 2N6352, 2N6353 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

Emitter-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

6.0

Vdc

I_EB= 12 mAdc, Base 1 Open

I_EB= 12 mAdc, Base 2 Open

V_(BR)

EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

1.0

mAdc

V_EB1= 2.0 Vdc, R_B2E= 100 W, V_CE= 80 Vdc

V_EB1= 2.0 Vdc, R_B2E= 100 W, V_CE= 150 Vdc

ON CHARACTERISTICS ⁽⁶⁾

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

I_CEX

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 1.0 W

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

I_C= 10 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

2,000

400

h_FE

10,000

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 1.0 W

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

I_C= 10 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 5.0 Adc, R_B2E= 100 W, I_B1= 5.0 mAdc

I_C= 5.0 Adc, R_B2E= 100 W, I_B1= 10 mAdc

Base-Emitter Voltage

1,000

200

1.5

2.5

Vdc

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_CE(sat)

2.5

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

V_BE1(on)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward Current Transfer Ratio

½h_fe½

5.0

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 10 Vdc, R_B2E= 100 W; f = 10 MHz

Output Capacitance

120

V_CB1= 10 Vdc, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz, Base 2 Open

C_obo

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time

V_CC= 30 Vdc; I_C= 5.0 Adc

(See fig 4 for 2N6350, 2N6352)

^ton

0.5

1.2

(See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

Turn-Off Time

V_CC= 30 Vdc; I_C= 5.0 Adc

(See fig 4 for 2N6350, 2N6352)

(See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

^toff

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= +100⁰C, 1 Cycle, t ³ 1.0 s, t_r+ t_f= 10 ms, R_B2E= 100 W (See fig 6 for 2N6350, 2N6351)

Test 1

V_CE= 1.5Vdc, I_C= 3.3 Adc

Test 2

V_CE= 30 Vdc, I_C= 167 mAdc

Test 3

V_CE= 80 Vdc, I_C= 35 mAdc

2N6350, 2N6351

2N6350

Test 4

V_CE= 150 Vdc, I_C= 13 mAdc

2N6351

T_C= +100⁰C, 1 Cycle, t ³ 1.0 s, t_r+ t_f= 10 ms, R_B2E= 100 W (See fig 7 for 2N6352, 2N6353)

Test 1

V_CE= 5.0Vdc, I_C= 5.0 Adc

Test 2

V_CE= 10 Vdc, I_C= 2.5 Adc

Test 3

V_CE= 80 Vdc, I_C= 95 mAdc

Test 4

V_CE= 150 Vdc, I_C= 35 mAdc

2N6352, 2N6353

2N6352

2N6353

(6) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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型号:	2N6350
生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71
外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-33
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
元件数量：	1
端子数量：	4
封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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