2N6667产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：10A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：3V @ 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）：1mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：1000 @ 5A，3V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：-

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

基本零件编号：2N6667

标准包装：50

其它名称：2N6667OS