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2N6678产品参数
型号:2N6678
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.05
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A
基于收集器的最大容量:500 pF
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:175 W
最大功率耗散 (Abs):175 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz
最大关闭时间(toff):3000 ns
最大开启时间(吨):700 ns
VCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1
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