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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号2N6668的概述

芯片2N6668的概述 2N6668是一种高性能的N沟道功率MOSFET(场效应管),主要用于高频、高速开关应用。MOSFET是一种在电信号控制下能够有效控制电流的半导体器件,因其具有高输入阻抗和低导通电阻而得到了广泛应用。2N6668的设计目标是实现高效能、高速度和高可靠性的特性,使其在各种电子...
配单直通车
2N6668产品参数
型号:2N6668
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.71
其他特性:LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
基于收集器的最大容量:200 pF
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:65 W
最大功率耗散 (Abs):26 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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