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2N6796产品参数
型号:2N6796
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.01
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.195 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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