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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家Internation.Rectifer 
  • 封装N/A 
  • 批号16+ 
  • 原装正品,假一罚十
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家ir 
  • 封装1/bulk 
  • 批号16+ 
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  • 飞弛宏元器件

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  • 数量14 
  • 厂家IR 
  • 封装CAN 
  • 批号8844 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装代理Microsemi 
  • 批号21+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量400 
  • 厂家MOT/IR 
  • 封装铁帽 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量74969 
  • 厂家IR 
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量234 
  • 厂家MOT/IR 
  • 封装CAN3 
  • 批号21+ 
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  • 深圳市朝华半导体有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家IR 
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  • 艾德沃特(深圳)科技有限公司

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  • 数量40000 
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  • 亚太金牌分销,长期量大可谈方案合作普通
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  • 讯运电子(深圳)有限公司

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  • 厂家TI 
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  • 批号承诺正品优势货为客户配单 
  • 精专于为各新老客户提供配单服务
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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2N6796产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39

制造商:Microsemi Corporation

系列:-

包装:散装

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.34nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-39

封装/外壳:TO-205AF 金属罐

标准包装:1

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