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品牌:ON Semiconductor
描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 1.5A 200MHz 1W Through Hole TO-226
制造商:ON Semiconductor
系列:-
包装:散装
零件状态:停產
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值):100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):200nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,5V
功率 - 最大值:1W
频率 - 跃迁:200MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:TO-226
基本零件编号:2N7053
标准包装:1,500
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