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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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产品型号2SC3856的概述

芯片2SC3856的概述 2SC3856是一种广泛应用于电子设备的高频共发射极NPN晶体管,适用于射频(RF)放大器、高频开关电路以及其他需要快速开关和高增益的应用。由于其优异的性能和稳定的工作特性,2SC3856在现代电子产品中得到了极大的关注。其设计和制造旨在满足高频信号传输、电源管理和信号处理等多种复杂电路需求。 芯片2SC3856的详细参数 2SC3856具有多项重要的参数,这些参数决定了其在不同电路中的适用性。以下是2SC3856的一些关键技术参数: - 最大集电极电压 (Vce): 60V - 最大集电极电流 (Ic): 4A - 最大功耗 (Pd): 1.5W - 直流电流增益 (hFE): 100 - 800 (在Ic = 500mA时) - 工作温度范围: -55°C到+150°C - 封装形式: TO-92、TO-220、DPAK等 - 引脚排列: 共发射极配置 ...

产品型号2SC3856的Datasheet PDF文件预览

2SC3856  
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR  
AUDIO POWER AMPLIFIER  
DC TO DC CONVERTER  
SC-65  
!
!
!
High Current Capability  
High Power Dissipation  
Complementary to 2SA1492  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
Tj  
180  
180  
6
15  
130  
V
V
V
A
W
°C  
°C  
150  
-55~150  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
Characterristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector Base Breakdown Voltage  
Collector Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
*DC Current Gain  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
IC=5 mA IE=0  
IC=10 mA  
RBE=  
IE=4mA IC=0  
VCB=90V IE=0  
VEB=4V IC=0  
VCE=5V IC=1A  
VCE=5V IC=3A  
IC=5A IB=0.5A  
180  
180  
6
V
V
V
mA  
mA  
0.1  
0.1  
160  
55  
50  
DC Current Gain  
Collector- Emitter Saturation Voltage  
hFE2  
VCE(sat)  
2.0  
V
V
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.  
Homepage: http://www.wingshing.com  
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153  
E-mail: wsccltd@hkstar.com  
配单直通车
2SC3856产品参数
型号:2SC3856
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:TO-3P
包装说明:MT-100, TO-3P, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.2
最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:180 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):130 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1
  •  
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