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  • 深圳市汇莱威科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市昱德鸿电子有限公司

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  • 斯普仑科技

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 厂家22+ 
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2SJ656产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220ML

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):75.5 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):74nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4200pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),30W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220ML

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:100

其它名称:869-1053

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