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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220ML
制造商:ON Semiconductor
系列:-
包装:散装
零件状态:停產
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):75.5 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):74nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4200pF @ 20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2W(Ta),30W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220ML
封装/外壳:TO-220-3 整包
标准包装:100
其它名称:869-1053
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