2SJ656产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：75.5 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：74nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4200pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），30W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220ML

封装/外壳：TO-220-3 整包

标准包装：100

其它名称：869-1053