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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号2SK3707的概述

2SK3707芯片的概述 2SK3707是一种N沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于电子设备的功率管理和开关控制。这款芯片因其优越的性能和高效率而受到设计师和工程师的推崇。2SK3707的设计目标是为高频开关应用提供可靠的解决方案,尤其适用于电源转换、电机驱动和信号处理等领域。 该芯片采用了现代化的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度,使得其在处理高电流和高频率信号时显得尤为出色。这为各种电气设备提供了增强的性能。 2SK3707的详细参数 2SK3707的数个关键参数如下: 1. 最大漏极—源极电压(VDS): 60V 2. 最大漏极电流(ID): 30A 3. 导通电阻(RDS(on)): 0.4Ω (在VGS=10V时) 4. 门极驱动电压(VGS): ±20V 5. 功耗(PD): 94W(在适当散热条件下) 6. 温度范围(Tj): -55°C 至 +150°C 7. ...

产品型号2SK3707的Datasheet PDF文件预览

Ordering number : ENN7706  
N-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
2SK3707  
Features  
Low ON-resistance.  
4V drive.  
Motor driver, DC / DC converter.  
Avalanche resistance guarantee.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
100  
±20  
20  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
PW10µs, duty cycle1%  
80  
A
DP  
2.0  
25  
W
W
°C  
°C  
mJ  
A
Allowable Power Dissipation  
P
D
Tc=25°C  
Channel Temperature  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
--55 to +150  
Avalanche Enargy (Single Pulse) *1  
Avalanche Current *2  
E
125  
20  
AS  
I
AV  
Note : *1 V =20V, L=500µH, I =20A  
DD  
AV  
*2 L500µH, single pulse  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
100  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
V
(BR)DSS  
D GS  
I
V
V
V
V
=100V, V =0  
GS  
1
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
= ±16V, V =0  
DS  
±10  
GSS  
V (off)  
GS  
=10V, I =1mA  
1.2  
11  
2.6  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=10V, I =10A  
17  
S
D
R
(on)1  
I
D
I
D
=10A, V =10V  
GS  
45  
56  
60  
80  
mΩ  
mΩ  
DS  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
(on)2  
=10A, V =4V  
GS  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
D1003QA TS IM TA-100958 No.7706-1/4  
2SK3707  
Continued from preceding page.  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
V
V
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
2150  
160  
110  
19.5  
30  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
V
DS  
DS  
DS  
t (on)  
d
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
t
r
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
d
185  
60  
t
f
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
V
V
V
=50V, V =10V, I =20A  
GS  
44  
DS  
DS  
DS  
D
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain “Miller” Charge  
Diode Forward Voltage  
Marking : K3707  
=50V, V =10V, I =20A  
GS  
7.8  
D
=50V, V =10V, I =20A  
GS  
9.8  
D
V
SD  
I =20A, V =0  
S GS  
0.95  
1.2  
Package Dimensions  
unit : mm  
2063A  
4.5  
2.8  
10.0  
3.2  
2.4  
1.6  
1.2  
0.7  
0.75  
1 : Gate  
2 : Drain  
1
2
3
2.55  
2.55  
3 : Source  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220ML  
Switching Time Test Circuit  
Unclamped Inductive Test Circuit  
V
=50V  
DD  
V
IN  
10V  
0V  
50Ω  
RG  
L
I
=10A  
D
V
IN  
R =5Ω  
L
DUT  
D
V
OUT  
PW=10µs  
D.C.1%  
15V  
0V  
V
50Ω  
DD  
G
2SK3707  
P. G  
50Ω  
S
No.7706-2/4  
2SK3707  
I
-- V  
I
-- V  
D GS  
D
DS  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
Tc=25°C  
V
=10V  
DS  
V =3V  
GS  
5
0
5
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
IT06745  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
Drain-to-Source Voltage, V  
-- V  
Gate-to-Source Voltage, V  
GS  
-- V  
IT06746  
DS  
R
DS  
(on) -- V  
R
DS  
(on) -- Tc  
GS  
120  
110  
100  
90  
120  
110  
100  
90  
I =10A  
D
80  
80  
70  
70  
Tc=  
75  
°
C
60  
60  
50  
50  
40  
40  
--25°  
C
30  
30  
20  
20  
10  
0
10  
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
--50  
--25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Gate-to-Source Voltage, V  
-- V  
IT06747  
Case Temperature, Tc -- °C  
IT06748  
GS  
yfs -- I  
I
-- V  
F SD  
D
100  
7
100  
7
V =0  
GS  
V =10V  
DS  
5
3
2
5
10  
3
2
7
5
3
2
1.0  
7
10  
7
5
3
2
5
0.1  
7
5
3
2
3
2
0.01  
7
5
1.0  
3
2
7
5
0.1  
0.001  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
1.5  
IT06750  
1.0  
10  
100  
IT06749  
Drain Current, I -- A  
D
Diode Forward Voltage, V -- V  
SD  
Ciss, Coss, Crss -- V  
SW Time -- I  
DS  
D
5
5
f=1MHz  
V
=50V  
=10V  
DD  
V
GS  
3
2
3
2
Ciss  
1000  
100  
7
5
7
5
3
2
3
2
t (on)  
d
100  
7
5
10  
7
0.1  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
IT06752  
2
3
5
7
2
3
5
7
10  
2
3
5
1.0  
Drain Current, I -- A  
Drain-to-Source Voltage, V -- V  
DS  
IT06751  
D
No.7706-3/4  
2SK3707  
V
-- Qg  
A S O  
GS  
10  
9
2
V
=50V  
DS  
I =80A  
DP  
<10µs  
100  
I =20A  
D
7
5
8
3
2
I =20A  
D
7
10  
6
7
5
5
3
2
4
Operation in this area  
is limited by R (on).  
1.0  
3
DS  
7
5
2
3
2
1
0
Tc=25°C  
Single pulse  
0.1  
0.1  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
1.0  
10  
100  
IT06754  
IT06753  
Total Gate Charge, Qg -- nC  
Drain-to-Source Voltage, V  
-- V  
DS  
P
-- Ta  
P
-- Tc  
D
D
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
30  
25  
20  
15  
10  
0.5  
0
5
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
Ambient Temperature, Ta -- °C  
IT06755  
IT06756  
Case Temperature, Tc -- °C  
Specifications of any and all SANYO products described or contained herein stipulate the performance,  
characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees  
of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's  
products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device,  
the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.  
SANYO Electric Co., Ltd. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all  
semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could  
give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire,  
or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so  
that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective  
circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design, and structural design.  
In the event that any or all SANYO products(including technical data,services) described or  
contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations,  
such products must not be exported without obtaining the export license from the authorities  
concerned in accordance with the above law.  
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or  
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for the SANYO product that you intend to use.  
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not  
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no guarantees are made or implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights  
or other rights of third parties.  
This catalog provides information as of December, 2003. Specifications and information herein are subject  
to change without notice.  
PS No.7706-4/4  
配单直通车
2SK3707产品参数
型号:2SK3707
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SANYO ELECTRIC CO LTD
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.34
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):125 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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