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30C02MH产品参数
型号:30C02MH
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.6 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):540 MHz
Base Number Matches:1
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