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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 讯运电子(深圳)有限公司

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3N163产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):250 欧姆 @ 100µA,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10µA

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3.5pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):375mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-72

封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐

标准包装:200

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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