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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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3N169产品参数
型号:3N169
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SOLITRON DEVICES INC
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
最大漏源导通电阻:100 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1.3 pF
JEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.8 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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