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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市辉华拓展科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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3N166产品参数
型号:3N166
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CALOGIC LLC
零件包装代码:TO-99
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.36
Is Samacsys:N
其他特性:VERY HIGH INPUT IMPEDANCE
外壳连接:SUBSTRATE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
最大漏极电流 (ID):0.05 A
最大漏源导通电阻:300 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.7 pF
JEDEC-95代码:TO-99
JESD-30 代码:O-MBCY-W6
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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