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首天国际（深圳）科技有限公司
3N166
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-
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深圳市中利达电子科技有限公司
3N166
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-
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
3N166
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0755-83209937

北京元坤伟业科技有限公司
3N166
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深圳市芯福林电子有限公司
3N166
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封装-
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13418564337

深圳市芯福林电子有限公司
3N166

数量98500
厂家CAL
封装CAN6
批号23+
真实库存全新原装正品！代理此型号
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0755-88917743

深圳市高捷芯城科技有限公司
3N166 TO-99 6L

数量7793
厂家ADI(亚德诺)
封装TO-99-6
批号23+
支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
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0755-83062789

现代芯城（深圳）科技有限公司
3N166 TO-99 6L

数量54000
厂家一级代理
封装一级代理
批号一级代理
一级代理正品采购
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0755-27381274

上海熠富电子科技有限公司
3N166

数量2487
厂家INTERSIL
封装CAN/TO-3
批号2023
上海原装现货库存，欢迎查询！
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15821228847

现代芯城（深圳）科技有限公司
3N166 TO-99 6L

数量64000
厂家一级代理
封装一级代理
批号一级代理
一级代理正品采购
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QQ：3007226849 复制
0755-82542579

深圳市一线半导体有限公司
3N166

数量344
厂家MOTOROLA
封装CAN
批号
全新原装部分现货其他订货
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0755-88608801多线

深圳市时兴宇电子有限公司
3N166

数量8566
厂家MOT
封装CAN
批号15+
绝对公司原装现货
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0755-83972959

产品型号3N166的Datasheet PDF文件预览

Monolithic Dual P-Channel

Enhancement Mode MOSFET

General Purpose Amplifier

CORPORATION

3N165 / 3N166

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Very High Impedance

High Gate Breakdown

Low Capacitance

•

Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 2)

•

3N165. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

3N166. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Transient Gate-Source Voltage (Note 3) . . . . . . . . . . . . . ±125

Gate-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±80V

Drain Current (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation

PIN CONFIGURATION

BOTTOM VIEW

TO-99

D₂

G₂

D₁

G₁

One Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Both Sides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525mW

Total Derating above 25^oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mW/^oC

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

0180

2506

ORDERING INFORMATION

DEVICE SCHEMATIC

Part

Package

Temperature Range

-55^oC to +150^oC

3N165-66

X3N165-66 Sorted Chips in Carriers

Hermetic TO-99

-55^oC to +150^oC

0190

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC and V_BS= 0 unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

UNITS

TEST CONDITIONS

I_GSSR

Gate Reverse Leakage Current

V_GS= 40V

_GS= -40V

-10

-25

-200

-400

-30

-5

I_GSSF

Gate Forward Leakage Current

T_A= +125^oC

I_DSS

Drain to Source Leakage Current

Source to Drain Leakage Current

On Drain Current

V_DS= -20V

I_SDS

V_SD= -20V, V_DB= 0

V_DS= -15V, V_GS= -10V

V_DS= -15V, I_D= -10µA

V_DS= V_GS, I_D= -10µA

I_D(on)

-5

-2

V_GS(th)

r_DS(on)

Gate Source Threshold Voltage

Drain Source ON Resistance

-5

V_GS= -20V, I_D= -100µA

300

ohms

3N165 / 3N166

CORPORATION

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (T_A= 25^oC and V_BS= 0 unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

3000

300

3.0

UNITS

TEST CONDITIONS

g_fs

Forward Transconductance

1500

µS

V_DS= -15V, I_D= -10mA, f = 1kHz

g_os

Output Admittance

C_iss

Input Capacitance

V_DS= -15V, I_D= -10mA, f = 1MHz (Note 4)

V_DS= -15V, I_D= -10mA, f = 100MHz (Note 4)

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

Output Capacitance

0.7

C_oss

R_E(Y_fs)

3.0

Common Source Forward Transconductance

1200

µs

MATCHING CHARACTERISTICS 3N165

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

UNITS

TEST CONDITIONS

Y_fs1/ Y_fs2

Forward Transconductance Ratio

0.90

1.0

V_DS= -15V, I_D= -500µA, f = 1kHz

V_GS1-2

Gate Source Threshold Voltage Differential

100

V_DS= -15V, I_D= -500µA

∆V_GS1−2

∆T

Gate Source Threshold Voltage Differential

Change with Temperature

_DS= -15V, I_A= -500µA

µV/^oC

_A= -55^oC to +25^oC

NOTES: 1. See handling precautions on 3N170 data sheet.

2. Per transistor.

3. Devices must not be tested at ±125V more than once, nor longer than 300ms.

4. For design reference only, not 100% tested.

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3N166产品参数

型号:	3N166
是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active
IHS 制造商：	SOLITRON DEVICES INC
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-99
JESD-30 代码：	O-MBCY-W8
元件数量：	2
端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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