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  • 深圳市一线半导体有限公司

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3N187产品参数
型号:3N187
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.33 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
Base Number Matches:1
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