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| 型号: | 3N188 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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