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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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产品型号40EPF12的概述

芯片40EPF12的概述 40EPF12是一款高性能的可编程逻辑器件,属于Altera(现被Intel收购)生产的EPF系列。这类器件广泛应用于数字电路设计,可以满足多种功能需求,包括组合逻辑、时序逻辑和状态机等。由于其灵活性,40EPF12有助于设计者快速实现所需的数字电路功能,尤其在快速原型制作和小批量生产的应用中展现了显著优势。 40EPF12的设计目标是为了提供高集成度和丰富的逻辑功能,适应各类电子产品设计的需要。该芯片的高效性和可靠性使其在工业控制、通信、消费电子和计算机等多个领域得到了广泛应用。 芯片40EPF12的详细参数 40EPF12的具体参数信息可以进行如下描述: - 逻辑单元数量:包含120个逻辑单元,每个逻辑单元支持多输入组合逻辑。 - 最大非对称输入信号:每个逻辑单元支持最多4个输入。 - 可编程I/O引脚数量:具有36个可编程I/O引脚,支持多种引脚配置。 ...

产品型号40EPF12的Datasheet PDF文件预览

Bulletin I2129 rev. A 06/98  
QUIETIR Series  
40EPF.. HV  
FAST SOFT RECOVERY  
RECTIFIER DIODE  
VF < 1.25V @ 20A  
trr  
= 95 ns  
VRRM 1000 to 1200V  
Description/Features  
The 40EPF.. fast soft recovery QUIETIR rectifier  
series has been optimized for combined short  
reverse recovery time and low forward voltage  
drop.  
The glass passivation ensures stable reliable  
operation in the most severe temperature and  
power cycling conditions.  
Typical applications are both:  
output rectification and freewheeling in  
inverters, choppers and converters  
and input rectifications where severe  
restrictions on conducted EMI should be met.  
Package Outline  
Major Ratings and Characteristics  
Characteristics  
40EPF.. Units  
I
Sinusoidalwaveform  
40  
1000to1200  
475  
A
V
F(AV)  
V
RRM  
I
A
FSM  
V
@20A,T =25°C  
J
1.25  
V
F
trr  
@1A,-100A/µs  
95  
ns  
°C  
TO-247AC (Modified)  
T
-40to150  
J
1
40EPF.. HVQUIETIR Series  
Bulletin I2129 rev. A 06/98  
Voltage Ratings  
VRRM , maximum  
peak reverse voltage  
V
VRSM , maximum non repetitive  
IRRM  
150°C  
mA  
peak reverse voltage  
V
Part Number  
40EPF10  
40EPF12  
1000  
1200  
1100  
1300  
10  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
40EPF..  
40  
Units  
A
Conditions  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
@ TC=105°C,180°conductionhalfsinewave  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent  
400  
475  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSine pulse,novoltagereapplied  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSinepulse,novoltagereapplied  
t=0.1to10ms,novoltagereapplied  
A
I2t  
Max. I2tforfusing  
800  
A2s  
1131  
11310  
I2t Max. I2tforfusing  
A2s  
Electrical Specifications  
Parameters  
40EPF.. Units  
Conditions  
VFM Max. ForwardVoltageDrop  
1.4  
6.82  
0.94  
0.1  
V
mΩ  
V
@ 40A, TJ = 25°C  
rt  
Forwardsloperesistance  
TJ = 125°C  
VF(TO) Thresholdvoltage  
IRM Max.ReverseLeakageCurrent  
TJ = 25 °C  
VR = rated VRRM  
TJ = 150 °C  
mA  
10  
Recovery Characteristics  
Parameters  
40EPF.. Units  
Conditions  
IF @ 10Apk  
@ 25A/ µs  
trr  
Irr  
ReverseRecoveryTime  
ReverseRecoveryCurrent  
ReverseRecoveryCharge  
Typical Snap Factor  
450  
6
ns  
A
Qrr  
S
1.8  
0.5  
µC  
@25°C  
2
40EPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2129 rev. A 06/98  
Thermal-MechanicalSpecifications  
Parameters  
40EPF.. Units  
Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-40to150  
-40to150  
0.6  
°C  
°C  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
toCase  
°C/W  
DCoperation  
RthJA Max.ThermalResistanceJunction  
toAmbient  
40  
°C/W  
°C/W  
g(oz.)  
RthCS TypicalThermalResistance,Caseto  
Heatsink  
0.2  
Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
T
ApproximateWeight  
MountingTorque  
6(0.21)  
6(5)  
Min.  
Kg-cm  
(Ibf-in)  
Max.  
12(10)  
CaseStyle  
TO-247AC  
JEDEC(Modified)  
150  
150  
40EPF.. Se rie s  
40EPF.. Se rie s  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
R
(DC ) = 0.6 °C/ W  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
R
(DC ) = 0.6 °C/ W  
th JC  
thJC  
C on d uc tio n Ang le  
Co nd u c tio n Pe rio d  
30°  
60°  
30°  
90°  
120°  
60°  
80  
80  
90°  
120°  
180°  
180°  
70  
DC  
60  
70  
60  
60  
0
10  
20  
30  
40  
50  
70  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45  
Ave ra g e Fo rwa rd C urre nt (A)  
Ave ra g e Forwa rd C urre nt (A)  
Fig.1-CurrentRatingCharacteristics  
Fig.2-CurrentRatingCharacteristics  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
180°  
120°  
90°  
60°  
30°  
DC  
180°  
120°  
90°  
60°  
30°  
RMS Lim it  
RMS Lim it  
Co n d uc tio n Ang le  
Co nd uc tio n Pe rio d  
40EPF.. Se rie s  
40EPF.. Se rie s  
T
J
= 150°C  
T
= 150°C  
J
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45  
Ave ra g e Fo rwa rd C urre nt (A)  
Ave ra g e Forwa rd C urre nt (A)  
Fig.4-ForwardPowerLossCharacteristics  
Fig.3-ForwardPowerLossCharacteristics  
3
40EPF.. HVQUIETIR Series  
Bulletin I2129 rev. A 06/98  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
450  
At An y Ra te d Lo a d Co nd ition And With  
Ma ximum Non Re p e titive Surg e Curre nt  
Ve rsus Pulse Tra in Dura tion.  
Ra te d V  
Ap p lie d Following Surg e .  
RRM  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
Initia l T = 150°C  
In itia l T = 150°C  
J
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
No Volta g e Re a p p lie d  
Ra te d V  
Re a p p lie d  
RRM  
40EPF.. Se rie s  
40EPF.. Se rie s  
0.01  
0.1  
1
1
10  
100  
Numbe r Of Eq ua l Amplitude Ha lf Cyc le Curre nt Pulse s (N)  
Pulse Tra in Dura tion (s)  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
1000  
100  
10  
T = 25°C  
J
T = 150°C  
J
40EPF.. Se rie s  
1
0
1
2
3
4
5
6
In sta n ta ne ous Fo rwa rd Vo lta g e (V)  
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
2
40EPF.. Se rie s  
= 25°C  
40EPF.. Se rie s  
T
J
T
= 150°C  
J
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
I
= 60 A  
FM  
40 A  
20 A  
10 A  
5 A  
I
= 40 A  
FM  
30 A  
1 A  
10 A  
5 A  
1 A  
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
Ra te O f Fa ll O f Fo rwa rd C urre nt - d i/d t (A/ µs)  
Fig.8-RecoveryTimeCharacteristics,TJ =25°C  
80  
120  
160  
200  
Ra te O f Fa ll Of Forwa rd Curre nt - d i/ d t (A/ µs)  
Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=150°C  
4
40EPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2129 rev. A 06/98  
6
5
4
3
2
1
0
20  
40EPF.. Se rie s  
40EPF.. Se rie s  
I
= 40 A  
FM  
T
= 25°C  
T = 150°C  
I
= 60 A  
J
FM  
J
16  
12  
8
30 A  
40 A  
20 A  
10 A  
10 A  
5 A  
5 A  
1 A  
4
1 A  
0
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Ra te O f Fa ll O f Fo rwa rd C urre nt - d i/ d t (A/ µs)  
Ra te Of Fa ll O f Fo rwa rd C urre n t - d i/d t (A/ µs)  
Fig.10-RecoveryChargeCharacteristics,TJ=25°C  
Fig.11-RecoveryChargeCharacteristics,TJ=150°C  
30  
50  
40EPF.. Se rie s  
40EPF.. Se rie s  
I
= 40 A  
FM  
T = 25°C  
T
J
= 150°C  
J
25  
20  
15  
10  
5
I
= 60 A  
FM  
40  
30  
20  
10  
0
30 A  
40 A  
10 A  
20 A  
10 A  
5 A  
1 A  
5 A  
1 A  
0
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Ra te O f Fa ll O f Forwa rd C urre n t - d i/d t (A/ µs)  
Ra te Of Fa ll O f Fo rwa rd C urre nt - d i/d t (A/ µs)  
Fig.12-RecoveryCurrentCharacteristics,TJ=25°C  
Fig.13-RecoveryCurrentCharacteristics,TJ=150°C  
1
Ste a d y Sta te Va lu e  
(DC Op e ra tio n)  
D = 0.50  
D = 0.33  
D = 0.25  
D = 0.17  
D = 0.08  
Sing le Pu lse  
40EPF.. Series  
0.1  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Sq u a re Wa ve Pulse Du ra tio n (s)  
Fig.14-ThermalImpedanceZthJCCharacteristics  
5
40EPF.. HVQUIETIR Series  
Bulletin I2129 rev. A 06/98  
Outline Table  
3. 65 (0.14 4)  
3. 55 (0 .13 9)  
5.30 (0 .209)  
4.70 ( 0.185)  
DIA.  
15 .90 (0 .626)  
15 .30 (0 .602)  
2.5 ( 0.098)  
1.5 ( 0.059)  
5.70 (0.225)  
5.30 ( 0.208)  
20 .30 (0 .800)  
19 .70 (0 .775)  
5.50 ( 0.217)  
4. 50 (0.177)  
(2 PLCS.)  
1
3
14. 80 (0.583)  
14 .20 (0 .559)  
4.30 (0.170)  
3. 70 (0.145)  
2. 20 (0 .08 7)  
M AX .  
2. 40 (0 .09 5)  
M AX .  
1.40 (0 .05 6)  
1.00 (0 .03 9)  
0.80 ( 0.032)  
0.40 (0 .21 3)  
10. 94 ( 0.430)  
10.86 (0.427 )  
Dimensionsinmillimetersandinches  
Ordering Information Table  
Device Code  
40  
E
P
F
12  
BASE  
CATHODE  
2
1
2
3
4
5
1
CATHODE  
3
1
2
-
-
CurrentRating  
ANODE  
CircuitConfiguration:  
E = Single Diode  
Package:  
3
4
-
-
-
P = TO-247AC (Modified)  
Type of Silicon:  
F = Fast Recovery  
10 = 1000V  
12 = 1200V  
5
6
Voltage code: Code x 100 = V  
RRM  
6
配单直通车
40EPF12产品参数
型号:40EPF12
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:TO-247AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.43
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:475 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:40 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.45 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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