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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 上海紫卓电子科技有限公司

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  • 厂家FUJI?/富士 
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产品型号6MBI75S-120的概述

芯片6MBI75S-120的概述 6MBI75S-120是一款高性能的功率模块,广泛应用于各种工业和商用设备中,如变频器、电机驱动等。其核心功能是提供高效的功率转换、控制和放大,提升电能转换的效率。该模块采用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和二极管,确保了其在高电流和高电压环境中的稳定性。 芯片6MBI75S-120的详细参数 6MBI75S-120的主要技术参数如下: - 额定电流(Ic):75A - 额定电压(Vce):1200V - 关断电压(Vge):20V - 最大工作温度:150°C - 模块外形尺寸:长168mm、宽92mm、高26mm - 冷却方式:强迫水冷或风冷 - 导通电阻(Rce):约1.8mΩ - 开关频率:最大20kHz 该模块还具备良好的热性能,通常配合金属散热器来确保工作在安全范围内。此外,6MBI75S-120设计以防止过流和过热,以延长组件的使用寿命。 ...

产品型号6MBI75S-120的Datasheet PDF文件预览

IGBT Modules  
6MBI75S-120  
IGBT MODULE ( S series)  
1200V / 75A 6 in one-package  
Features  
· Compact package  
· P.C.board mount  
· Low VCE(sat)  
Applications  
· Inverter for motor drive  
· AC and DC servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Unit  
V
Rating  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous Tc=25°C  
Equivalent Circuit Schematic  
1200  
V
±20  
21(P)  
13(P)  
A
100  
current  
Tc=80°C  
75  
1(Gu)  
5(Gv)  
9(Gw)  
1ms  
Tc=25°C IC pulse  
Tc=80°C  
A
200  
150  
2(Eu)  
6(Ev)  
10(Ew)  
-IC  
A
75  
150  
19(U)  
17(V)  
15(W)  
1ms  
-IC pulse  
A
3(Gx)  
4(Ex)  
7(Gy)  
8(Ey)  
11(Gz)  
12(Ez)  
Max. power dissipation (1 device)  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
PC  
W
°C  
°C  
V
520  
Tj  
+150  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
14(N)  
20(N)  
Vis  
Screw torque  
Mounting *1  
N·m  
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)  
Electrical characteristics (Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
0.2  
8.5  
2.6  
ICES  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
mA  
µA  
V
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=75mA  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
5.5  
7.2  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
2.3  
2.8  
Tj=25°C VGE=15V, IC=75A  
Tj=125°C  
V
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
tr  
9000  
1875  
1650  
0.35  
0.25  
0.1  
Input capacitance  
pF  
µs  
VGE=0V  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
VCE=10V  
f=1MHz  
1.2  
0.6  
VCC=600V  
IC=75A  
tr(i)  
toff  
tf  
VGE=±15V  
RG=16Ω  
0.45  
0.08  
2.5  
1.0  
0.3  
3.3  
Turn-off time  
VF  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
V
Tj=25°C  
Tj=125°C  
IF=75A  
IF=75A, VGE=0V  
2.0  
trr  
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.24  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*2  
IGBT  
FWD  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
0.50  
the base to cooling fin  
0.05  
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
6MBI75S-120  
IGBT Modules  
Characteristics  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
Tj= 25oC (typ.)  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
Tj= 125 oC (typ.)  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
100  
50  
15V  
VGE= 20V  
12V  
VGE= 20V  
15V  
12V  
10V  
10V  
8V  
8V  
0
0
0
0
0
1
2
3
4
5
0
5
0
1
2
3
:
4
5
Collector - Emitter voltage  
:
VCE [ V ]  
Collector - Emitter voltage  
VCE [ V ]  
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage  
Tj= 25oC (typ.)  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
VGE=15V (typ.)  
200  
150  
100  
50  
10  
8
Tj= 25oC  
Tj= 125oC  
6
4
Ic= 150A  
Ic= 75A  
2
Ic= 37.5A  
0
0
1
2
3
4
5
10  
15  
20  
25  
Collector - Emitter voltage  
:
VCE [ V ]  
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]  
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)  
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25 oC  
Dynamic Gate charge (typ.)  
Vcc=600V, Ic=75A, Tj= 25 oC  
20000  
10000  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
25  
20  
15  
10  
5
Cies  
1000  
Coes  
Cres  
100  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
200  
400  
Gate charge : Qg [ nC ]  
600  
800  
Collector - Emitter voltage  
:
VCE [ V ]  
6MBI75S-120  
IGBT Modules  
Switching time vs. Collector current (typ.)  
Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=16,Tj=125oC  
Switching time vs. Collector current (typ.)  
Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=16,Tj=25oC  
1000  
500  
1000  
500  
toff  
toff  
ton  
tr  
ton  
tr  
tf  
100  
100  
50  
tf  
50  
0
50  
100  
Ic [ A ]  
150  
500  
500  
0
0
0
50  
100  
150  
Collector current  
:
Collector current : Ic [ A ]  
Switching time vs. Gate resistance (typ.)  
Switching loss vs. Collector current (typ.)  
Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=16,o
Vcc=600V,Ic=75A,VGE=±15V,Tj=25oC  
5000  
20  
15  
10  
5
ton  
Eon(125 oC)  
toff  
tr  
1000  
500  
Eon(25 oC)  
Eoff(125 oC)  
Eoff(25 oC)  
Err(125 oC)  
100  
50  
tf  
Err(25 oC)  
0
5
10  
50  
100  
]  
50  
100  
150  
Gate resistance  
:
Rg  
[
Collector current : Ic [ A ]  
Reverse bias safe operating area  
+VGE=15V,-VGE<15V, Rg>16,Tj<125oC  
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)  
Vcc=600V,Ic=75A,VGE=±15V ,Tj=125oC  
=
=
=
50  
40  
30  
20  
10  
0
200  
150  
100  
50  
Eon  
Eoff  
Err  
0
5
10  
50  
100  
]  
200  
400 1000  
600  
800  
1200  
1400  
Gate resistance  
:
Rg  
[
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]  
IGBT Modules  
6MBI75S-120  
Forward current vs. Forward on voltage (typ.)  
Reverse recovery characteristics (typ.)  
Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=16
200  
150  
100  
50  
300  
trr(125 oC)  
Tj=25 o  
C
Tj=125 o  
C
100  
trr(25 oC)  
Irr(125 oC)  
Irr(25 oC)  
0
10  
0
1
2
3
4
0
50  
100  
150  
Forward on voltage  
:
VF [ V ]  
Forward current : IF [ A ]  
Transient thermal resistance  
1
FWD  
IGBT  
0.1  
0.01  
0.001  
0.01  
Pulse width  
0.1  
1
:
Pw [ sec ]  
Outline Drawings, mm  
122±1  
110±0.3  
8-R2.25±0.3  
4-ø5.5±0.3  
94.5±0.3  
19.05  
11.5+0.5  
13.09 19.05  
19.05  
19.05  
0
19  
16  
15  
18  
17  
3.81  
ø2.5±0.1  
99.6±0.3  
3.81  
ø2.1±0.1  
Section A-A  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
11  
12  
15 15.24 15.24 15.24 15.24 15.24  
118.11  
4.06  
1.15±0.2  
A
A
ø0.4  
Shows theory dimensions  
配单直通车
6MBI75S-120产品参数
型号:6MBI75S-120
生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
针数:21
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X19
元件数量:6
端子数量:19
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):520 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):450 ns
标称接通时间 (ton):350 ns
VCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1
  •  
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