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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 上海乙幸科技有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家富士电机 | Fuji Electric 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 上海紫卓电子科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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6MBI75S-120产品参数
型号:6MBI75S-120
生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
针数:21
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X19
元件数量:6
端子数量:19
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):520 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):450 ns
标称接通时间 (ton):350 ns
VCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1
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