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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家RENESAS(瑞萨电子) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市博正芯科技有限公司

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  • 厂家IDT, Integrated Device Technology Inc 
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  • ★★正品专卖,进口原装深圳现货★★
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 数量5404 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装 
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  • 全新原装部分现货其他订货
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71256L120EB产品参数
型号:71256L120EB
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
包装说明:DFP, FL28,.5
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92
最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F28
JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP
封装等效代码:FL28,.5
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
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