TISP8200M & TISP8201M
电气特性TISP8200M ， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
I
R
V
（BO）
V
（BO）
I
H
I
GT
C
关闭
Ø FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GA
= -70 V
测试条件
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
-5
-50
5
50
-82
-95
-150
5
V
D
= 0
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
GA
= -80 V， （见注4 ）
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
记
35
20
10
pF
单位
µA
µA
µA
µA
V
V
mA
mA
反向电流
击穿电压
击穿电压
保持电流
门极触发电流
的dv / dt = -250 V / ms的，源电阻= 300
Ω
, V
GA
= -80 V
2/10波形， （我
K
) I
T
= -100 A， di / dt的
马克斯。
= -58 A / μs的，V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -1时，的di / dt = 1 / MS ，V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GA
= -80 V
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
电气特性TISP8201M ， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
I
R
V
（BO）
V
（BO）
I
H
I
GT
C
关闭
Ø FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GA
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GK
= 70 V
的dv / dt = 250 V / ms的，源电阻= 300
Ω
, V
GK
= 80 V
2/10波形， （我
A
) I
T
= 100 A， di / dt的
马克斯。
= 58 A / μs的，V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 1 A， di / dt的= -1 / MS ，V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 5 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GK
= 80 V
V
D
= 0
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
GK
= 80 V， （见注4 ）
V
D
= 5 V
V
D
= 50 V
记
+20
-5
35
20
10
pF
测试条件
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
5
50
-5
-50
82
95
单位
µA
µA
µA
µA
V
V
mA
mA
反向电流
击穿电压
击穿电压
保持电流
门极触发电流
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 70℃， 5厘米
2
， FR4 PCB
民
典型值
最大
160
单位
° C / W
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
