TISP8200M & TISP8201M
门控保护器的操作（续）
V
BATR
C2
100 nF的
TISP
8200M
I
G
TISP
8201M
环
I
A
0V
SLIC
I
K
TIP
V
浴
AI8XAD
I
G
C1
100 nF的
0V
图5.过压条件
所述负的保护电压V （BO） ，将所述栅极电压（ VBATH ）和TISP8200M峰栅极（端子） -cathode电压的总和
（ VGT ） 。在交流过压条件下的VGT将小于2.0V。在TISP8200M集成的晶体管缓冲大大降低
保护器的源和汇电流负载的V BATH供应。没有晶体管，可控硅门极电流会收取VBATH供应。
电子电源通常不被设计得像一个电池进行充电。其结果是，在电子供给会关掉，并且可控硅
栅极电流将提供在SLIC供电电流。通常在SLIC电流将小于栅极的电流，这将导致
电源电压增加并且通过一个供应过电压破坏的SLIC 。使用旧的设计只是可控硅需要把牺牲
在供应线的齐纳二极管，以去短如果电源电压增大太多。集成的晶体管缓冲消除了充电
问题和需要一个安全的齐纳。
快速上涨的冲动将导致短期超调栅极 - 阴极电压。冲动的条件下负电压保护会
如果有栅极去耦电容，C1和栅极端子之间的长连接还可以增加。在一个快速的初始上升
脉冲，栅极电流（IG ）是相同的阴极电流（IK） 。 60 A / μs的速率可以2.5厘米造成的0.6 V电压感应
印刷电路轨道。为了尽量减少这种感应电压的增加保护电压时，所述电容器的栅终端跟踪的长度
应该被最小化。
该TISP8201M （缓存）的栅极连接到正的SLIC电池馈电电压（ VBATR ），以提供保护的基准电压。
正的过电压是由TISP8201M晶体管的导通开始裁剪接近在SLIC正供电线值（ VBATR ）
基极 - 发射极和可控硅栅极 - 阳极结。如果有足够的电流可以从该过电压，那么SCR将撬棍到低
电压以地为参考的通态条件。作为过电压消退在SLIC拉动导体电压下降到其正常的负
值和该整流导通可控硅成反向偏压条件。
在TISP8200M和TISP8201M电压应力水平
图6示出了保护装置的电极。包终端指定的闸门，G ，就是晶体管的基极， B，电极连接，所以是
标记为B （G）中。下面的路口都受到电压应力：晶体管EB和CB ， SCR AK （反向和关闭状态） 。这一条款
涵盖了必要的测试，以确保路口都不错。
测试三极管EB和SCR AK反向：
最高反向电压EB和反向电压AK期间的尖峰时段发生
其他的保护。为TISP8200M中，SCR具有VBATR加上TISP8201M冲以上VBATR 。晶体管EB具有一个附加的
VBATH电压施加（见图7） 。反向电流IR，流入到K个终端将成为晶体管IEB和实际的总和
内部可控硅IR 。加到K个终端的反向电压是TISP8201M保护电压V （BO） （ VBATR加过冲） ，并且对G
终端具有VBATH 。类似地，对于TISP8201M ，红外测量与TISP8200M V（ BO）应用，它是在晶体管IEB的总和与
实际内部可控硅的IR 。 VBATR施加到3G终端。
1998年5月 - 修订2005年2月
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