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TISP8201MDR-S 参数 Datasheet PDF下载

TISP8201MDR-S图片预览
型号: TISP8201MDR-S
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内容描述: 互补BUFFERED -GATE SCRS用于双极性SLIC过压保护 [COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION]
分类和应用: 电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 325 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP8200M & TISP8201M
SLIC参数值
下面的表显示了使用正和负电源轨目前可用的SLIC的一些细节。
生产厂家
SLIC系列
SLIC #
数据表问题
短路电流
V
马克斯。
V
BATR
马克斯。
V
BATR
-V
马克斯。
AC振铃:
V
V
BATR
V
BATR
-V
R或t电源最大。 < 10毫秒
R或牛逼过冲< 10毫秒
R或牛逼过冲< 1毫秒
R或牛逼过冲< 10
µs
R或牛逼过冲< 1
µs
R或牛逼过冲< 250纳秒
线路馈电电阻
20 + 30
-10
-10
SLIC -S ‡
PEB4264
14/07/2000
±130
-70
+50
90
45
-54
+36
90
TBA
INFINEON ‡
SLIC -E ‡
PEB 4265
14/07/2000
±130
-90
+90
160
85
-70
+80
150
10
轻巧™‡
ISLIC ™‡
79R251
-/08/2000
±150
-85
+85
150
65
-68
+52
120
单位
mA
V
V
V
V有效值
V
V
V
W
-5
+10
+30
-10
-10
+10
+30
-10
-15
20 + 30
50
5
V
V
V
10
15
V
V
‡轻巧的轻巧标志和ISLIC是轻巧公司(原AMD公司通信产品事业部)的商标。
本出版物中使用的其它产品名称仅作识别之用,可能是其各自公司的商标
公司。
最大总电压, VBATR - VBATH ,通常比最大VBATR和最大VBATH值之和小于约10% 。
在电压过冲的条件,
±10
V为所需要的1
µs
±15
V为250纳秒。定义在实际的过冲保护是非常重要的
电路的条件。例如,如果该系列线馈电阻率为20
Ω,
R1在图10中,和Telcordia GR-1089 -CORE 2/10和10/1000第一
级别冲动被应用,峰值电流保护器将100 A和33 A.因此,保护电压过冲应
在100 A, 2/10和33 A, 10/1000测量。
使用的最大电池电压和最小过冲的表值给出的要求
±105
从输出电压V与地和
±175
输出之间V 。需要有温度护卫带为在保护特性随温度的变化。为了弥补
下降到-40
°C,
25
°C
保护最小值成为
±120
V参考地,
±190
输出和100 V或-100 V上V之间
栅极。
门控保护器的操作
图5显示了TISP8200M和TISP8201M限制过电压。该TISP8200M SCR部分限制过电压的负和
TISP8201M SCR段限制正过电压。
该TISP8200M (缓存)的栅极连接到所述负的SLIC电池馈电电压( VBATH ),以提供保护的基准电压。
负过电压是由TISP8200M晶体管的导通开始裁剪接近在SLIC负电源轨值( VBATH )
基极 - 发射极和可控硅栅极 - 阴极结。如果有足够的电流可以从该过电压,那么SCR将撬棍到低
电压以地为参考的通态条件。由于过电压消退,可控硅的高保持电流防止直流闭锁与
SLIC的输出电流。
1998年5月 - 修订2005年2月
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