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    BS616LV2020DI 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2020DI图片预览
    型号： BS616LV2020DI
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    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 251 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第11页  
    BSI  
    BS616LV2020  
    „ ORDERING INFORMATION  
    BS616LV2020 X X -- Y Y  
    SPEED  
    70: 70ns  
    10: 100ns  
    GRADE  
    o
    o
    C: +0 C ~ +70 C  
    o
    o
    I: -40 C ~ +85 C  
    PACKAGE  
    A :BGA - 48 PIN(6x8mm)  
    D :DICE  
    „ PACKAGE DIMENSIONS  
    NOTES:  
    1: CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.  
    2: PIN#1 DOT MARKING BY LASER OR PAD PRINT.  
    3: SYMBOL "N" IS THE NUMBER OF SOLDER BALLS.  
    BALL PITCH e = 0.75  
    D
    E
    N
    D1  
    E1  
    8.0  
    6.0  
    48  
    5.25  
    3.75  
    D1  
    VIEW A  
    48 mini-BGA (6 x 8mm)  
    R0201-BS616LV2020  
    Revision 2.3  
    April 2002  
    10  

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