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BH616UV1611TIG55 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BH616UV1611TIG55
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 149 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1611
n
引脚说明
名字
功能
A0到A19地址输入(字模式)
这20个地址输入选择在RAM中1,024K ×16位中的一个,如果字节是高
A0到A20地址输入(字节模式)
这21个地址输入选择在RAM中的2,048K ×8位中的一个,如果字节为低
( TSOP只)
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
CE1芯片使能输入1
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的,该装置是
CE2芯片使能输入2
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
一个字节一个字节使能输入( TSOP只)
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
该输入选择SRAM的组织。 1,024K ×16位配置
如果BYTE为高电平选择。选择2,048K ×8位的配置,如果字节是低
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
R0201-BH616UV1611
2
修订版1.3
上柜。
2006