CY62147CV25/30/33
的MoBL ™
电气特性
在工作范围（续）
CY62147CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV33-70
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
20
µA
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
20
I
CC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
.
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05202修订版**
第14页4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
